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(1)化學(xué)蒸鍍?cè)�理�?/span>

　　熱CVD反應(yīng)是將各種化學(xué)反應(yīng)物質(zhì)通入反應(yīng)爐體內(nèi)，於高溫的熱能供應(yīng)作用下，於工件表面形成鍍膜。為使化學(xué)反應(yīng)能夠進(jìn)行，所加入的熱能主要為提供物種反應(yīng)所需的能量，使各化學(xué)物種有足夠的能量越過(guò)活化能障，形成所需的化合物，而在工具模具上的CVD反應(yīng)所生成的化合物較常見(jiàn)者有TiC、TiN、Ti（CN）、CrC及……等等。電漿化學(xué)漿（PCVD）是於300～900℃，10～1000 Pa，以pulse DC的能量產(chǎn)生電漿，通入、、Ar、等氣體進(jìn)行電漿擴(kuò)散，於金屬基材內(nèi)形成擴(kuò)散層或於表面形成化合物層，增加硬度，以利於抗磨耗摩損。

(2)熱CVD的特點(diǎn)：

　　優(yōu)點(diǎn)：

可成長(zhǎng)非常多種類(lèi)的薄膜材料。
鍍膜與基材的附著性優(yōu)良。
可得高級(jí)度，高品質(zhì)鍍膜，鍍膜之結(jié)晶性，配向性可控制。
析出速度快，通常為數(shù)μm/min至數(shù)百μm/min也是可能。
反應(yīng)製程條件的選擇可容易獲得單層膜，多層膜，分散膜，磊晶膜，厚膜等。
基材的材料及形狀可多樣性、平板、線材、箔、粉末、內(nèi)管及非常複雜的形狀都可處理。
設(shè)備簡(jiǎn)單，生產(chǎn)性高，再現(xiàn)性優(yōu)良。
　

　 缺點(diǎn)：

鍍膜成長(zhǎng)溫度高，基材和反應(yīng)設(shè)備的耐熱性，及原料氣體的腐蝕問(wèn)題須控制。
高溫處理伴隨著基材尺寸變化，基材和鍍膜界面間的殘留熱應(yīng)力嚴(yán)重不容忽視。
活潑性氣體源的使用，製程中的爆炸，毒性等工安險(xiǎn)必須特別注意。
反應(yīng)控制因子多，裝置設(shè)計(jì)極為重要。
工件局部蒸鍍處理將有困難。
　　

電漿CVD的特點(diǎn)：

製程溫度低，無(wú)變形，尺寸精度佳，可局部處理。
鍍膜附著性佳，可處理高負(fù)載加工之工具。
繞鍍性不差，可處理孔洞、小穴及複雜形狀之工具。
鍍膜緻密，表面光滑，處理後可保持原有工件之鏡面狀況。